基于GaN-HEMT L波段高线性度功率放大器 |
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引用本文: | 王旭东,吴景峰,王立发,林朋,孙志宇.基于GaN-HEMT L波段高线性度功率放大器[J].半导体技术,2013(3):207-211. |
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作者姓名: | 王旭东 吴景峰 王立发 林朋 孙志宇 |
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作者单位: | 河北半导体研究所 |
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摘 要: | 介绍了一种基于GaN-HEMT的L波段线性功率放大器,GaN功率HEMT具备高电压、高功率密度和高温工作等特点,对提升功率放大器线性输出功率、工作效率和增益等性能起到重要作用。在GaN功率HEMT基础上,通过对功率放大器的线性化技术研究,使用ADS2009仿真软件建立电路模型,采用了预失真技术来改善功率放大器的线性度和工作效率,并且优化50Ω匹配电路来改善输入输出端驻波比和降低功率损耗。最终研制出在+28 V供电电压情况下,增益为16 dB、1 dB压缩点处输出功率为45 dBm和工作效率为35%的线性功率放大器。
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关 键 词: | 氮化镓高电子迁移率晶体管 L波段 匹配电路 高线性度 功率放大器 |
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