| 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 |
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| 引用本文： | 江德生 吕振东. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报, 1999, 20(1): 7-10 |
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| 作者姓名： | 江德生 吕振东 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ样品的稳态和瞬态发光。从２００℃生长的样品呆测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激光子峰有一定蓝移。
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| 关 键 词： | 光致发光 砷化镓 分子束外延 瞬态测量 低温 |
PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs |
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| Jiang Desheng Lu Zhendong Cui Liqiu Zhou Xiangqian Sun Baoquan Xu Zhongying. PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999, 20(1): 7-10 |
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| Authors: | Jiang Desheng Lu Zhendong Cui Liqiu Zhou Xiangqian Sun Baoquan Xu Zhongying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence GaAs MBE transient measurement |
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