| 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 |
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| 引用本文： | 矫淑杰,张振中,吕有明,申德振,赵东旭,张吉英,姚斌,范希武.在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管[J].发光学报,2005,26(4):542-544. |
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| 作者姓名： | 矫淑杰 张振中 吕有明 申德振 赵东旭 张吉英 姚斌 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049;中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划);中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下，二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性，并且具有很低的开启电压（4V）。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 p型掺杂 p-n同质结 分子束外延 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）04-0542-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-25 |
| 修稿时间： | 2005-07-19 |
p-n ZnO Light-emitting Diode Fabricated on a-sapphire Substrate |
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| JIAO Shu-jie,ZHANG Zhen-zhong,LU You-ming,SHEN De-zhen,ZHAO Dong-xu,ZHANG Ji-ying,YAO Bin,FAN X W.p-n ZnO Light-emitting Diode Fabricated on a-sapphire Substrate[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(4):542-544. |
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| Authors: | JIAO Shu-jie ZHANG Zhen-zhong LU You-ming SHEN De-zhen ZHAO Dong-xu ZHANG Ji-ying YAO Bin FAN X W |
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| Abstract: | A ZnO homo-junction light-emitting diode (LED) was fabricated on a-Al_2O_3 substrate by plasma-assistant molecular beam epitaxy. NO plasma activated by a radio frequency atomic source was used to grow the p-type ZnO layer of the LED. The current-voltage measurements at low temperatures showed a typical (diode) characteristic with a threshold voltage about 4.0 V at forward bias. Electroluminescence band of the ZnO LED is located at the blue-violet region at 80 K, and the electroluminescence still can be observed up to 200 K. |
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| Keywords: | ZnO thin film p-type doping p-n homojunction molecular beam epitaxy |
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