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| 磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能 | |
| 引用本文： | 张梁堂,宋杰,蔡敏真,徐富春,吴孙桃,董全峰. 磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能[J]. 高等学校化学学报, 2009, 30(5): 971-975 |
| 作者姓名： | 张梁堂 宋杰 蔡敏真 徐富春 吴孙桃 董全峰 |
| 作者单位： | 1. 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系,厦门,361005 2. 厦门大学物理与机电工程学院,化学化工学院化学系,厦门,361005 3. 厦门大学物理与机电工程学院,物理与机电工程学院物理系,厦门,361005 4. 厦门大学物理与机电工程学院,化学化工学院分析测试中心,厦门,361005 5. 厦门大学物理与机电工程学院,萨本栋微机电研究中心,厦门,361005 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，国防基础研究项目(原国防科工委)，福建省化学电源科技创新平台项目 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高, 其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1, 表现出较高的放电容量和较好的循环性能. |
| 关 键 词： | 铜钒氧化物薄膜 磁控溅射 阴极材料 电化学性能 |
| 收稿时间： | 2008-08-13 |
Structure and Electrochemical Performance of Copper Doped Vanadium Oxide Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering |
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| ZHANG Liang-Tang,SONG Jie,CAI Min-Zhen,XU Fu-Chun,WU Sun-Tao,DONG Quan-Feng. Structure and Electrochemical Performance of Copper Doped Vanadium Oxide Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J]. Chemical Research In Chinese Universities, 2009, 30(5): 971-975 | |
| Authors: | ZHANG Liang-Tang SONG Jie CAI Min-Zhen XU Fu-Chun WU Sun-Tao DONG Quan-Feng |
| Affiliation: | 1.Department of Mechanical and Electrical Engineering;2.College of Chemistry & Chemical Engineering;3.Department of Physics;4.Analysis and Testing Center;5.Pen Tung Sah MEMS Research Center;Xiamen University;Xiamen 361005;China |
| Abstract: | V2O5 was used as cathode material for all solid state thin film lithium-ion batteries,so as to improve electrochemical properties of V2O5 thin film material.In this paper,copper doped and undoped vanadium oxide films were deposited on silicon substrates by RF magnetron sputtering.The films were characterized by XRD,SEM and XPS.The results show that undoped thin films are polycrystalline-V2O5 and copper doped thin films are amorphous copper-vanadium oxide.The Cu ions are at +2 oxidation state,while the V ion... |
| Keywords: | Copper-vanadium oxide RF magnetron sputtering Cathode material Electrochemical property |
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