| 9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面 |
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| 引用本文： | 何福庆 龙先灌. 9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面[J]. 原子与分子物理学报, 1995, 12(2): 133-138 |
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| 作者姓名： | 何福庆 龙先灌 |
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| 作者单位： | 四川联合大学（东区）原子核科学技术研究所 |
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| 摘 要： | 用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。
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| 关 键 词： | St（Li）探测器，特征X射线，电离截面 |
K-IONIZATION CROSS SECTIONS OF THE COPPER ATOM 9-28 keV- ELECTRON IMPACT |
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| He Fuqing, Long Xianguan, Liu Mantian, Pens xiufeng, Luo Zhensming, An Zhu. K-IONIZATION CROSS SECTIONS OF THE COPPER ATOM 9-28 keV- ELECTRON IMPACT[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 1995, 12(2): 133-138 |
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| Authors: | He Fuqing Long Xianguan Liu Mantian Pens xiufeng Luo Zhensming An Zhu |
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| Abstract: | K-ionization cross section of Cu by electron impact (impact energy 9 - 28 keV) wasmeasured detecting characteristic X-ray emitted by thin solid film tarset of known massthickness with a Si(Li) detector. Reflection correction of substrate was done by bipatition modelof electron transport. The experimental results are compatd with previous results and empiricalformula calculations. |
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| Keywords: | Si(Li) detector Characteristic X-ray Ionization cross section |
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