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| 在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成… | |
| 引用本文： | 谷廷坤,赵永芳.在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…[J].原子与分子物理学报,1995,12(2):195-201. |
| 作者姓名： | 谷廷坤 赵永芳 |
| 摘 要： | 此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频 |
| 关 键 词： | 小硅化物 分子轨道从头算 分子成键倾向 |
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