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大豆种子吸胀冷害与“修补”过程的探讨
引用本文:郑光华,燕义唐,张庆昌.大豆种子吸胀冷害与“修补”过程的探讨[J].中国科学B辑,1988(4).
作者姓名:郑光华  燕义唐  张庆昌
作者单位:中国科学院植物研究所北京植物园 (郑光华,燕义唐),中国科学院植物研究所北京植物园(张庆昌)
摘    要:本文选用对吸胀冷害敏感的大豆品种吉林3号和黑河3号种子为材料,系统测定种子本身各类电解质及细胞内其他可溶性物质外渗量与吸胀冷害发生的变化。同时运用电子显微镜扫描和组织化学的电子显微镜切片技术,从细胞和亚细胞水平上进行观察比较,并籍助于PEG渗透调控法加以印证。本文报道了上述一系列试验研究的结果,并就种子吸胀冷害的机理问题进行初步的探讨。作者在文中强调指出,要彻底阐明种子吸胀冷害的机理,必须从广义的“修补”角度着眼,即要分别从膜相的物理“修补”和细胞代谢的生理生化“修补”进行探索,更要在两者之间的联系上深入研究。

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