杂多蓝质子化点位的新证据──现场光透薄层FTIR光谱电化学的研究结果 |
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作者姓名: | 张淑艳 孙浩然 刑永恒 杨国昱 徐吉庆 |
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作者单位: | 吉林大学化学系, 长春, 130023 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,吉林省科委科技发展计划资助 |
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摘 要: | 杂多阴离子在质子介质中的电还原行为已有大量报道“,“,已经证明杂多阴离子在还原后有质子化的过程发生,然而仅能从理论上推断质子化发生在桥氧上,尽管中子衍射可确定结晶中的质子位置,但是该方法太复杂,并且无法在溶液中进行现场研究.本文以现场FTIR光谱电化学方法对杂多阴离子PMO;刀X在质子介质中的电还原行为进行了研究,给出了杂多蓝质子化发生在桥氧上的新证据.考虑到红外光谱电化学方法中使用NaCI盐窗的要求和水溶液的强吸收等问题,我们选用经高氯酸酸化的乙脂溶液作为研究体系.1实验部分按文献[’1方法制备TBAsP…
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关 键 词: | 质子化点位 现场光透薄层FTIR光谱电化学 杂多蓝 |
收稿时间: | 1996-11-12 |
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