深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计 |
| |
作者姓名: | 孙自敏 刘理天 李志坚 |
| |
作者单位: | 清华大学微电子所 |
| |
摘 要: | 本文对多晶抬高源漏(PESD)MOSFET的结构作了描述,并对深亚微米PESDMOS-FET的特性进行了模拟和研究,看到PESDMOSFET具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性,其输出电流和跨导较大,且对热载流子效应的抑制能力较强,因此具有比较好的性能.给出了PESDMOSFET的优化设计方法.当MOSFET尺寸缩小到深亚微米范围时,PESDMOS-FET将成为一种较为理想的器件结构
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|