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应用改进的热场生长低位错SI—GaAs单晶
引用本文:
谢自力,夏德谦.应用改进的热场生长低位错SI—GaAs单晶[J].固体电子学研究与进展,1992,12(3):261-264.
作者姓名:
谢自力
夏德谦
摘 要:
关 键 词:
热场
温度梯度
位错密度
砷化镓
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