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| γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 杨卫桥 干福熹 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
| 摘 要： | γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异. |
| 关 键 词： | γ-LiAlO2晶体 缺陷 位错 同步辐射X射线形貌术 GaN衬底, |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)06-565-04 |
| 修稿时间： | 2002-07-15 |
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