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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究
作者姓名:
杨卫桥
干福熹
邓佩珍
徐军
李杼智
蒋成勇
作者单位:
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
摘 要:
γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.
关 键 词:
γ-LiAlO2晶体
缺陷
位错
同步辐射X射线形貌术
GaN衬底,
文章编号:
1000-985X(2002)06-565-04
修稿时间:
2002-07-15
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