| 基于GaN HEMT的1.5～3.5GHz宽带平衡功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 冷永清,张立军,曾云,鲁辉,郑占旗,张国梁,彭伟,彭亚涛,官劲.基于GaN HEMT的1.5～3.5GHz宽带平衡功率放大器设计[J].电子学报,2013,41(4):815-820. |
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| 作者姓名： | 冷永清 张立军 曾云 鲁辉 郑占旗 张国梁 彭伟 彭亚涛 官劲 |
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| 作者单位： | 1. 湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙 410082;2. 中国科学院微电子研究所,北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家973重点基础研究发展计划，国家自然科学基金，湖南省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5～3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5～3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%～65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.
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| 关 键 词： | 宽带功率放大器 GaN HEMT 平衡功率放大器 |
| 收稿时间： | 2011-11-19 |
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