| 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关 |
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| 引用本文： | 王书荣,刘志宏,王圩,朱洪亮,张瑞英,丁颖,赵玲娟,周帆,王鲁峰.宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关[J].半导体学报,2004,25(8):898-902. |
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| 作者姓名： | 王书荣 刘志宏 王圩 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 王鲁峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心 北京100083，云南师范大学太阳能研究所，昆明650092，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0～1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5～1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70～1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70～90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景
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| 关 键 词： | 半导体放大器光开关 宽带 偏振不灵敏 张应变准体InGaAs 光纤到光钎无损工作电流 消光比 |
Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs |
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| Wang Shurong.Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(8):898-902. |
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| Authors: | Wang Shurong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifier gate wide bandwidth polarization insensitive tensile strained quasi bulk InGaAs fiber to fiber lossless operation current extinction ratio |
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