| 应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 |
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| 引用本文： | 哈斯花,班士良.应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2008,39(3):269-274. |
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| 作者姓名： | 哈斯花 班士良 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021;内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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内蒙古优秀学科带头人项目 |
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| 摘 要： | 采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿(001)取向GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应.结果表明,若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响,激子结合能随压力的增大近似线性增加.此外,由简化相干近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中铝组分对激子结合能的影响.结果表明,在固定的压力下当铝组分增加时激子结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著.
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| 关 键 词： | 应变闪锌矿量子阱 激子结合能 电子-空穴气屏蔽 压力 |
| 文章编号： | 1000-1638(2008)03-0269-06 |
| 修稿时间： | 2007年6月26日 |
Pressure Effect of Screened Excitons in a Strained (001)-oriented Zinc-blende GaN/AlGaN Quantum Well |
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| HA Si-hua,BAN Shi-liang.Pressure Effect of Screened Excitons in a Strained (001)-oriented Zinc-blende GaN/AlGaN Quantum Well[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol,2008,39(3):269-274. |
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| Authors: | HA Si-hua BAN Shi-liang |
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