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短沟道器件阈电压模型
引用本文:
孙彦卿,石广源,唐仁兴,李蓬.短沟道器件阈电压模型[J].辽宁大学学报(自然科学版),1988(3).
作者姓名:
孙彦卿
石广源
唐仁兴
李蓬
作者单位:
辽宁大学物理系 (孙彦卿,石广源,唐仁兴),沈阳市电子局(李蓬)
摘 要:
本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。
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