| 基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性 |
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| 引用本文： | 张瑜洁,张万荣,金冬月,陈亮,付强,赵昕.基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性[J].半导体技术,2012,37(6):437-441. |
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| 作者姓名： | 张瑜洁 张万荣 金冬月 陈亮 付强 赵昕 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，模拟集成电路国家重点实验室基金，北京市自然科学基金，北京市教委科技发展计划项目，北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目，北京市优秀跨世纪人才基金 |
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| 摘 要： | 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。
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| 关 键 词： | 多指功率SiGe HBT Ge组分分布 温度分布 热学特性 增益特性 |
Thermal Characteristics of Multi-Finger SiGe HBTs with Different Ge Profile in Base Region |
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| Zhang Yujie
,
Zhang Wanrong
,
Jin Dongyue
,
Chen Liang
,
Fu Qiang
,
Zhao Xin.Thermal Characteristics of Multi-Finger SiGe HBTs with Different Ge Profile in Base Region[J].Semiconductor Technology,2012,37(6):437-441. |
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| Authors: | Zhang Yujie Zhang Wanrong Jin Dongyue Chen Liang Fu Qiang Zhao Xin |
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| Institution: | (College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China) |
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