| 坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体 |
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| 引用本文： | 赵北君,朱世富,李正辉,傅师申,于丰亮,李奇峰.坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体[J].人工晶体学报,1999,28(4):323-327. |
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| 作者姓名： | 赵北君 朱世富 李正辉 傅师申 于丰亮 李奇峰 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 摘 要： | 本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5;Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4;,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12;.
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| 关 键 词： | 非线性光学晶体 硒镓银 多晶合成 单晶生长 熔体温度振荡 坩埚旋转下降法 |
Growth of AgGaSe2 Single Crystal by the Descending Crucible with Rotation Technique |
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| Zhao Beijun,Zhu Shifu,Li Zhenghui,Fu Shishen,Yu Fengliang,Li Qifeng.Growth of AgGaSe2 Single Crystal by the Descending Crucible with Rotation Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,1999,28(4):323-327. |
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| Authors: | Zhao Beijun Zhu Shifu Li Zhenghui Fu Shishen Yu Fengliang Li Qifeng |
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