| 半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨 |
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| 引用本文： | 丁国庆. 半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨[J]. 光通信研究, 1994, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 丁国庆 |
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| 作者单位： | 武汉电信器件公司 |
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| 摘 要： | 本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。
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| 关 键 词： | PVS，长波吸收限λ＿g，异质结构材料，FFL—PL |
The Test and Investigation in the Photovoltage Spectroscopy Spectra on Multilayer Heterostructure Materisls |
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| Din Guoqing. The Test and Investigation in the Photovoltage Spectroscopy Spectra on Multilayer Heterostructure Materisls[J]. Study on Optical Communications, 1994, 0(Z1) |
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| Authors: | Din Guoqing |
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| Affiliation: | Din Guoqing |
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| Abstract: | |
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