临界温度附近V_3Si上临界场Hc_2(T)的研究

我们利用直流吸气溅射技术制备了一系列A—15 V_3Si样品,分别测量了它们的上临界场初始斜率dH_c_2(T)/dT|_(T→T_c)和它们的剩余电阻率ρT_c与超导转变温度T_c的关系。实验结果表明,(dH_c_2I(T))/dT|_(T→T_c)先随着ρT_c的增大(T_c的减小)而增大,对于ρT_c=65μΩ·cm(T_c=12K)的样品具有极大的(dH_c_2I(T))/dT|_(T→T_c),然后(dH_c_2I(T))/dT|_(T→T_c)随着ρT_c的增大(T_c的减小)反而减小, 我们也观察到临界温度附近的临界场H_c_2(T)-T曲线的弯曲现象,对于理想的样品发生正的弯曲;对于无序化程度高的样品发生负的弯曲。本文对实验结果进行了讨论。