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| 150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性 | |
| 引用本文： | 刘志宏,陈蒲生,刘百勇,郑耀宗.150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性[J].物理学报,1991(1). |
| 作者姓名： | 刘志宏 陈蒲生 刘百勇 郑耀宗 |
| 作者单位： | 香港大学电机与电子工程系 广州(刘志宏)，华南理工大学物理系 510641 (陈蒲生)，华南理工大学物理系 广州(刘百勇)，香港城市理工学院电子工程系 510641(郑耀宗) |
| 摘 要： | 对具有器件质量的150A厚SiO_2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO_2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。 |
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