| 可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性 |
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| 引用本文： | 罗小蓉,李肇基,张波.可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性[J].半导体学报,2006,27(5):881-885. |
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| 作者姓名： | 罗小蓉 李肇基 张波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60436030; |
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| 摘 要： | 提出了一种可变低κ（相对介电常数）介质层（variable low κ dielectric layer，VLkD）SOI高压器件新结构，该结构的埋层由可变κ的不同介质组成。基于电位移连续性原理，利用低κ提高埋层纵向电场和器件纵向耐压，并在此基础上提出SOI的介质场增强原理，基于不同κ的埋层对表面电场的调制作用，使器件横向耐压提高，并给出VLkD SOI的RESURF判据，借助2D器件仿真研究了击穿特性与VLkD SOI器件结构参数之间的关系，结果表明，对κμ=2，κIH=3．9，漂移区厚2μm，埋层厚1μm的VLkD器件，埋层电场和器件耐压分别达248V／μm和295V，比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高了93％和64％。
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| 关 键 词： | 可变低κ介质层 纵向电场 调制 RESURF判据 击穿电压 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0881-05 |
| 修稿时间： | 2005年9月24日 |
Breakdown Characteristics of SOI LDMOS High VoltageDevices with Variable Low k Dielectric Layer |
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| Luo Xiaorong,Li Zhaoji and Zhang Bo.Breakdown Characteristics of SOI LDMOS High VoltageDevices with Variable Low k Dielectric Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5):881-885. |
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| Authors: | Luo Xiaorong Li Zhaoji and Zhang Bo |
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| Institution: | IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | variable low k dielectric layer vertical electric field modulation RESURF criterion breakdown voltage |
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