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| TEOS—O3常压CVD膜形成中的GeO2添加效果 | |
| 引用本文： | 前田和夫,益国.TEOS—O3常压CVD膜形成中的GeO2添加效果[J].微电子技术,1994,22(4):50-58. |
| 作者姓名： | 前田和夫 益国 |
| 摘 要： | 一，TEOS／O3常压CVD技术利用TEOStetraethylorthosilicate（四乙氧基硅烷）]与O3在常压下化学反应的低温SiO2膜形成技术，它在具有优越的台阶覆盖、低颗粒度、自平坦化特性等方面业已显露头角，在VLSI器件领域内已达到了广泛实用化程度．在该方法中，由于TEOS，以及O3在形成气相中的中间体（聚合物）上起着重要作用，对掩埋特性的提高有一定贡献，对于表面的反应，它作为主体的同时，我们获悉，存在着衬底表面状态对成股具有很大影响的一种“衬底表面依赖性”。因此，如何控制这个表面依赖性将是实用上的关键．在TEOS／O3常任… |
| 关 键 词： | VLSI 化学汽相沉积 膜形成 氧化锗 布线 |
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