|
|||||
|
|
| 半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展 | |
| 摘 要： | 正III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用,是当前国际研究的热点。特别是,三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外,其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前,国际上广泛采用外来Au催化的气-液-固(VLS)机制制备纳米线,但Au催化剂能在半导体材料中形成深能 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |