半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线研究中取得进展

正Si是现代CMOS工艺不可或缺的材料,而Ⅲ-Ⅴ族半导体广泛应用于光电子、超高速微电子和超高频微波等器件中。长期以来,科学家们试图在Si衬底上外延高质量Ⅲ-Ⅴ族半导体。但由于晶格不匹配会导致生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体质量较差。当材料降低到纳米尺度,由于应力可以得到有效释放,上述困难得以缓解。