|
|||||
|
|
| ICP-AES中基体连续辐射背景的研究——Ⅱ.不同基体浓度下操作条件对连续辐射强度的影响 | |
| 引用本文： | 郑建国,张展霞,钱浩雯,李文冲.ICP-AES中基体连续辐射背景的研究——Ⅱ.不同基体浓度下操作条件对连续辐射强度的影响[J].光谱学与光谱分析,1991(5). |
| 作者姓名： | 郑建国 张展霞 钱浩雯 李文冲 |
| 作者单位： | 中山大学化学系，中山大学化学系，中山大学测试中心，中山大学微电子所 510275 广州，510275 广州 |
| 摘 要： | 引言在本系列研究的第Ⅰ部分,我们已对ICP中基体连续辐射的一些性质进行了研究。与Ar连续辐射一样,基体连续辐射强度对电子密度n_c和离子密度n_(M~+)的变化是十分敏感的,与n_c和n_(M~+)成正比,而与T~(1/2)成反比,因为溫度高,电子动能大,要改变其运动形式或运动速度比较困难,因此辐射强度较弱。改变ICP—AES的操作条件因而改变n_c、n_(M~+)、T_e的分布都会导致连续辐射强度的变化。因为ICP是一个空间分布特征不均匀的热、电系统、n_c、n_(M~+)、T_e的空间分 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |