| 预氧化法制备均匀硅纳米线阵列 |
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| 引用本文： | 李燕秋,渠亚洲,程其进. 预氧化法制备均匀硅纳米线阵列[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(10): 2022-2027 |
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| 作者姓名： | 李燕秋 渠亚洲 程其进 |
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| 作者单位： | 厦门大学能源学院太阳能研究所,厦门 361102;厦门大学深圳研究院,深圳 518000 |
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| 基金项目： | 深圳市基础研究项目(JCYJ20170306141238532) |
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| 摘 要： | 利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs).通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性.此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2.4;.最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理.
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| 关 键 词： | 硅纳米线阵列 预氧化清洗 金属辅助化学刻蚀 各向异性, |
Preparation of Uniform Silicon Nanowire Arrays by Pre-oxidation Method |
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| LI Yan-qiu,QU Ya-zhou,CHENG Qi-jin. Preparation of Uniform Silicon Nanowire Arrays by Pre-oxidation Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(10): 2022-2027 |
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| Authors: | LI Yan-qiu QU Ya-zhou CHENG Qi-jin |
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