半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

由半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组,在国家纵向经费和自筹经费的支持下,瞄准光伏企业需求,经过多年苦战,综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点,在单晶硅衬底上研发出效率高达20.0%的太阳电池(短路电流密度JSC=43.9mA/cm2,开路电压VOC=602mV,填充因子FF=0.758),并经中国计量科学研究院认证。