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| 化学水浴沉积法制备CdSe薄膜 | |
| 引用本文： | 杨锁龙,袁红雁,仲敬荣,肖丹. 化学水浴沉积法制备CdSe薄膜[J]. 化学研究与应用, 2008, 20(9) |
| 作者姓名： | 杨锁龙 袁红雁 仲敬荣 肖丹 |
| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900;四川大学化学工程学院,四川,成都,610065 2. 四川大学化学工程学院,四川,成都,610065 3. 中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900 |
| 摘 要： | CdSe是直接跃迁宽带隙的II-VI族化合物半导体,具有立方和六方两种结构,以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽(<1.7ev),是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料[1,2]. |
| 关 键 词： | CdSe薄膜 化学水浴沉积 |
Preparation of CdSe film with chemical bath deposition |
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| YANG Suo-long,YUAN Hong-yan,ZHONG Jin-rong,XIAO Dan. Preparation of CdSe film with chemical bath deposition[J]. Chemical Research and Application, 2008, 20(9) | |
| Authors: | YANG Suo-long YUAN Hong-yan ZHONG Jin-rong XIAO Dan |
| Abstract: | |
| Keywords: | CdSe film chemical bath deposition |
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