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| 采用RFQ加速器的高能离子注入机 | |
| 引用本文： | 浅利正敏,吴健昌.采用RFQ加速器的高能离子注入机[J].微细加工技术,1990(4):61-67. |
| 作者姓名： | 浅利正敏 吴健昌 |
| 摘 要： | 近几年来,具有兆电子伏(以下简称MeV)能量的离子束在很多领域中获得广泛利用。它在VLSI等半导体离子注入中尤其可望取得崭新的进展。这是因为用MeV级能量进行离子注入时,离子注入的深度比过去的中能离子注入要多好几倍。例如,已经有人提出要将它用于反向阱、埋入栅以及ROM编程等方面的设想,而且已经开始在某些器件中应用。不论是用 |
| 关 键 词： | RFQ 加速器 离子注入机 高能 |
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