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| 超高速相位量化ADC的表征与测试 | |
| 引用本文： | 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬.超高速相位量化ADC的表征与测试[J].微电子学与计算机,2005,22(2):22-24,28. |
| 作者姓名： | 张有涛 夏冠群 李拂晓 高建峰 杨乃彬 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;南京电子器件研究所,南京,210016 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 3. 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 文章详细分析并讨论了应用于相位体制DRFM的ADC参数表征及测试方法。提出用相位非线性(PDNL和PINL)来描述相位体制ADC的静态性能,用瞬时工作带宽(IBW)及相位精度随频率的变化来描述相位ADC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准3"GaAsMESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制ADC进行了性能表征及测试,结果表明其静态PDNL≤0.01LSB,PDNL≤±0.007LSB;电路可在2GHz时钟下完成采样、量化,达到2Gbps的转换速率,其瞬时带宽可达250MHz,带内相位精度小于±0.45LSB。 |
| 关 键 词： | 相位体制模数转换器 表征 数字射频存储器 GaAs MESFET |
| 文章编号： | 1000-7180(2005)02-022-03 |
Characterization and Test of High-Speed Phase Digitizing ADC |
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| ZHANG You-tao,XIA Guan-qun,LI Fu-xiao,GAO Jian-feng,YANG Nai-bin.Characterization and Test of High-Speed Phase Digitizing ADC[J].Microelectronics & Computer,2005,22(2):22-24,28. | |
| Authors: | ZHANG You-tao XIA Guan-qun LI Fu-xiao GAO Jian-feng YANG Nai-bin |
| Institution: | ZHANG You-tao1,2,XIA Guan-qun1,LI Fu-xiao2,GAO Jian-feng2,YANG Nai-bin2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Phase digitizing ADC Characterization DRFM GaAs MESFET |
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