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| Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究 | |
| 引用本文： | 钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏,袁诗鑫.Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究[J].半导体学报,1990,11(9):680-687. |
| 作者姓名： | 钟建国 谢钦熙 张恕明 乔怡敏 袁诗鑫 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (钟建国，谢钦熙，张恕明，乔怡敏)，中国科学院上海技术物理研究所(袁诗鑫) |
| 摘 要： | 本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。 |
| 关 键 词： | Ⅱ—Ⅵ族化合物 分子束外延 SIMS、RHEED X光衍射 晶向偏角 |
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