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| GaP:N和GaAs1-xPx:中的束缚激子依赖于激子声子耦合的辐射复合的热猝灭 | |
| 引用本文： | 张新夷 C. Hirlimann M. Kanehisa M. Balkanski.GaP:N和GaAs1-xPx:中的束缚激子依赖于激子声子耦合的辐射复合的热猝灭[J].中国科学A辑,1982,25(4):326-333. |
| 作者姓名： | 张新夷 C. Hirlimann M. Kanehisa M. Balkanski |
| 作者单位： | 1 中国科学院长春物理研究所 2 法国Pierre和Marie.Curie大学国家科研中心固体物理实验室 |
| 摘 要： | 我们从实验中发现,在N掺杂的GaP和Ga(As,P)中,零声子辐射带与相应的声子伴带的热猝灭过程是不同的。声子伴带的热猝灭强烈地依赖于激子声子的耦合,呈现出一种相干的特性。 |
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