|
|||||
|
|
| 铌酸钡钠晶体缺陷的浸蚀法研究 | |
| 引用本文： | 李齐,冯端.铌酸钡钠晶体缺陷的浸蚀法研究[J].中国科学A辑,1980,23(8):740-743. |
| 作者姓名： | 李齐 冯端 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| 摘 要： | 本文用化学浸蚀法显示了Czochralski法生长的BNN晶体中的铁电畴、生长条纹和位错,建立了浸蚀图象与晶体缺陷之间的对应关系.原生晶体中的铁电畴结构由宽度约1微米的交锁带纹状反向铁电畴组成.生长条纹、位错及包裹物等缺陷诱发了特征形态的铁电畴,其中位错诱发的铁电畴较难通过单畴化完全去除.籽晶中位错的延伸、肩部表面沟漕的热应变、包裹物的挤压,以及在过饱和点缺陷作用下螺型位错变为蜷线位错的攀移增殖,是晶体中位错的主要来源. |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 | |