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| 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题 | |
| 引用本文： | 陈光华,邵乐喜,贺德衍,刘小平. 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题[J]. 物理, 2000, 29(5): 278-282 |
| 作者姓名： | 陈光华 邵乐喜 贺德衍 刘小平 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学应用物理系,北京,100022 2. 兰州大学物理系,兰州,730000 3. 湛江师范学院物理系,湛江,524048 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市自然科学基金 |
| 摘 要： | 介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状，对金刚石、类金刚石（ＤＬＣ）、立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）、氮化铝（Ａ１Ｎ）和碳化硅（ＳｉＣ）薄膜场电子发射研究的进展进行了评述，着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系，并讨论了研究中存在的问题。 |
| 关 键 词： | 场电子发射 宽度隙薄膜材料 发射性能 结构 |
THE BACKGROUND, CURRENT STATUS AND QUESTIONS CONCERNING ELECTRON FIELD EMISSION FROM WIDE BANDGAP FILMS |
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| CHEN Guang-Hua,SHAO Le-Xi,HE De-Yan,LIU Xiao-Ping. THE BACKGROUND, CURRENT STATUS AND QUESTIONS CONCERNING ELECTRON FIELD EMISSION FROM WIDE BANDGAP FILMS[J]. Physics, 2000, 29(5): 278-282 | |
| Authors: | CHEN Guang-Hua SHAO Le-Xi HE De-Yan LIU Xiao-Ping |
| Abstract: | Current research on electron field emission from wide band-gap materials, such as diamond, diamond-like carbon, cubic boron nitride, aluminum nitride and silicon carbide films is reviewed. The dependence of emission properties on structure impurity content and preparation of the samples are discussed. Questions to be solved in the future are also mentioned. |
| Keywords: | electron field emission wide band-gap materials films |
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