| 半导体量子阱激光器（QWL）及其进展 |
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| 引用本文： | 宋登元.半导体量子阱激光器（QWL）及其进展[J].半导体光电,1990,11(4):363-369. |
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| 作者姓名： | 宋登元 |
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| 作者单位： | 河北大学电子系 保定 |
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| 摘 要： | 由于半导体量子阱结构限制电子和空穴到极薄区域的量子尺寸效应,导致了它具有二维台阶状的态密度。因此,用这种结构制备的量子阱激光器(QWL)具有低的阈值电流密度,窄的谱线宽度,宽的波长调谐范围以及高的调制频率响应知易实现大功率、短波长可见光输出等优点。本文在描述了这种结构的台阶状态密度分布的基础上,主要介绍了 QWL 主要优异特性和最近的发展水平。最后对今后的发展方向作了预测。
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| 关 键 词： | 半导体 量子阱 激光器 态密度 |
Semiconductor Quantum Well Lasers(QWLs)and Their Recent Advances |
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| Song Denyuan Dept.of Electronics,Hebei University Baoding.Semiconductor Quantum Well Lasers(QWLs)and Their Recent Advances[J].Semiconductor Optoelectronics,1990,11(4):363-369. |
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| Authors: | Song Denyuan Deptof Electronics Hebei University Baoding |
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| Institution: | Song Denyuan Dept.of Electronics,Hebei University Baoding 071002 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Density of States Quantum Well Lasers |
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