| 坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 |
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| 引用本文： | 沈琦,陈红兵,王金浩,蒋成勇,潘建国,徐军.坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能[J].人工晶体学报,2012,41(4):844-848,852. |
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| 作者姓名： | 沈琦 陈红兵 王金浩 蒋成勇 潘建国 徐军 |
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| 作者单位： | 1. 新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地,宁波大学材料科学与工程研究所,宁波315211
2. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 973计划前期研究专项(2011CB612306);国家自然科学基金(21171102);宁波市自然科学基金(2010A610165);宁波大学科研基金(xkl09074,xkl067);宁波大学王宽诚幸福基金 |
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| 摘 要： | 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度.结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns；以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5％～57.4％,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107 rad.
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| 关 键 词： | 钨酸镉 坩埚下降法 衰减时间 辐照硬度 |
Scintillation Property of Cadium Tungstate Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Technique |
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| SHEN Qi
,
CHEN Hong-bing
,
WANG Jin-hao
,
JIANG Cheng-yong
,
PAN Jian-guo
,
XU Jun.Scintillation Property of Cadium Tungstate Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(4):844-848,852. |
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| Authors: | SHEN Qi CHEN Hong-bing WANG Jin-hao JIANG Cheng-yong PAN Jian-guo XU Jun |
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| Institution: | 1.State Key Laboratory Base of Novel Functional Material and Preparation Science,Institute of Materials Science & Engineering,Ningbo University, Ningbo 315211,China;2.Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy Sciences,Shanghai 201800,China) |
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| Abstract: | |
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