一维离子导体α—LiIO_3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释(Ⅱ) 各向同性模 |
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引用本文: | 顾世杰,李荫远.一维离子导体α—LiIO_3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释(Ⅱ) 各向同性模[J].物理学报,1983(7). |
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作者姓名: | 顾世杰 李荫远 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所
(顾世杰),中国科学院物理研究所(李荫远) |
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摘 要: | 本文进一步用文献中建立的理论,处理α-LiIO_3单晶在c向加静电场后出现的偏振不变的两类衍射带:(1)垂直于c轴的广角衍射带(第一类);(2)与c轴成倾角的小角衍射带(第二类)。理论证明了前者在入射光垂直于c轴时有可能产生很弱的o→o和e→e衍射;而当转动晶体使入射方向与c轴夹角α由90°减小时,o→o模的强度不变而e→e模则单调地成倍增加。我们还发展了比文献中给出的更为普遍的理论表达式,并针对第二类现象讨论了近乎平行于锥面的生长层上离子富集和涨落所引起的衍射带。从衍射带角宽不大于8°这一事实估算出,生长层方向偏离程度不超过2°,平均间隔不小于5μm。同样的模型也解释了o→e和e→o的衍射光斑的现象。
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