| 微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析 |
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| 引用本文： | 李新利,马战红,任凤章,许荣辉,柳勇.微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析[J].人工晶体学报,2014,43(9):2384-2388. |
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| 作者姓名： | 李新利 马战红 任凤章 许荣辉 柳勇 |
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| 作者单位： | 河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳,471023 |
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| 基金项目： | 河南省科技创新人才计划(144200510001);国家自然科学基金(51201061) |
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| 摘 要： | 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备了沉积时间系列的微晶硅薄膜.采用椭圆偏振光谱仪(SE)和原子力显微镜(AFM)表征薄膜表面粗糙度,分析了表面粗糙度随沉积时间的演化行为.讨论了这两种测量手段在分析薄膜表面粗糙度时的差异.结果表明,采用SE拟合得到的表面粗糙度数值要大于采用AFM直接测量得到的结果.产生差异的原因,一是由于两种测量手段的测量机制不同;二是由于薄膜的结构不均匀导致薄膜表面形貌差异.另外,还发现这两种测量手段得到的表面粗糙度数值之间存在线性关系.
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| 关 键 词： | 射频等离子体化学气相沉积 微晶硅薄膜 表面粗糙度 演化 |
Study on the Evolution of Microcrystalline Silicon Thin Film Surface Roughness |
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| LI Xin-li,MA Zhan-hong,REN Feng-zhang,XU Rong-hui,LIU Yong.Study on the Evolution of Microcrystalline Silicon Thin Film Surface Roughness[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(9):2384-2388. |
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| Authors: | LI Xin-li MA Zhan-hong REN Feng-zhang XU Rong-hui LIU Yong |
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