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| Er:GaN微纳米晶发光性能研究 | |
| 作者姓名： | 高崴崴 王晓丹 韩佰祥 莫亚娟 曾雄辉 徐科 |
| 作者单位： | 苏州科技学院物理科学与技术系;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61306004,51002179,11247023,51272270);江苏省自然科学基金(BK20130263);中国科学院功能开发项目(yg2012093) |
| 摘 要： | 采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰。在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶GaN微纳米晶相同的发光峰。 |
| 关 键 词： | Er GaN 微纳米晶 发光性能 |
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