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不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究
引用本文:程旻,康道远,宋森,李明伟,张小莉.不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究[J].人工晶体学报,2014,43(10):2534-2539.
作者姓名:程旻  康道远  宋森  李明伟  张小莉
作者单位:重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030
基金项目:中央高校基本科研业务费(CDJZR13140015)
摘    要:通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH =4.2时,(100)面生长速度最快.计算出不同pH值下的台阶动力学系数βl和台阶活化能E的数值.对不同pH值下生长出的ZTS晶体的(100)面进行了位错缺陷观察,发现pH =4.2时,位错密度较低,有利于晶体生长质量的提高.

关 键 词:ZTS晶体  pH值  台阶推移速率  动力学  位错缺陷  

Research of Step Growth Kinetics and Dislocation Defects on the (100) Face of ZTS Crystal under Different pH Values
CHENG Min,KANG Dao-yuan,SONG Sen,LI Ming-wei,ZHANG Xiao-li.Research of Step Growth Kinetics and Dislocation Defects on the (100) Face of ZTS Crystal under Different pH Values[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(10):2534-2539.
Authors:CHENG Min  KANG Dao-yuan  SONG Sen  LI Ming-wei  ZHANG Xiao-li
Abstract:
Keywords:
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