| 基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究 |
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| 引用本文： | 吴晓松,褚学宁,李玉鹏.基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究[J].人工晶体学报,2014,43(8):1913-1920. |
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| 作者姓名： | 吴晓松 褚学宁 李玉鹏 |
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| 作者单位： | 上海交通大学机械与动力工程学院,上海,200240 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51475290,51075261);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20120073110096);上海市科技创新行动计划项目(11DZ1120800) |
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| 摘 要： | 利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性.
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| 关 键 词： | PECVD 氮化硅薄膜 正交试验 工艺参数 |
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