| 6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征 |
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| 引用本文： | 高战军,陈治明,李连碧,赵萌,黄磊.6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征[J].人工晶体学报,2014,43(8):1965-1969. |
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| 作者姓名： | 高战军 陈治明 李连碧 赵萌 黄磊 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51177134) |
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| 摘 要： | 在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征.结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大.XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向.Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶ SiH4 =400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小.
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| 关 键 词： | 热壁LPCVD 多晶Si薄膜 择优取向 表面粗糙度 |
Growth and Structural Characterization of Polycrystalline Silicon Film Pulsed on 6H-SiC Substrate by HWCVD |
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| GAO Zhan-jun,CHEN Zhi-ming,LI Lian-bi,ZHAO Meng,HUANG Lei.Growth and Structural Characterization of Polycrystalline Silicon Film Pulsed on 6H-SiC Substrate by HWCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(8):1965-1969. |
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| Authors: | GAO Zhan-jun CHEN Zhi-ming LI Lian-bi ZHAO Meng HUANG Lei |
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