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热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究
引用本文:高玉伟,周炳卿,张林睿,张龙龙.热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究[J].人工晶体学报,2014,43(10):2761-2766.
作者姓名:高玉伟  周炳卿  张林睿  张龙龙
作者单位:内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与?ё灾吻氐闶笛槭?呼和浩特010022
基金项目:国家自然科学基金(51262022);内蒙古师范大学“十百千”人才工程项目(RCPY-2-2012-K-041);内蒙古师范大学2012年度研究生科研创新基金(CXJJS12034)
摘    要:采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析.结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小.通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2;、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σ.为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σrd为8.6×10-7 Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料.

关 键 词:微晶硅薄膜  化学气相沉积  热丝  

Study on Structures and Properties of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Hot Wire Chemical Vapor Deposition
GAO Yu-wei,ZHOU Bing-qing,ZHANG Lin-rui,ZHANG Long-long.Study on Structures and Properties of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Hot Wire Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(10):2761-2766.
Authors:GAO Yu-wei  ZHOU Bing-qing  ZHANG Lin-rui  ZHANG Long-long
Abstract:
Keywords:
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