| 外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响 |
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| 作者姓名： | 齐继伟 彭景阳 陈宗强 李玉栋 许京军 孙骞 |
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| 作者单位： | 南开大学泰达应用物理学院,弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津300457 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61178004);天津市自然科学基金(12JCQNJC01100,06TXTJJC13500);高等学校博士学科点专项科研基金(20110031120005);长江学者和创新团队发展计划(IRT0419);高等学校学科创新引智计划(B07013);中央高校基本科研业务费专项资金 |
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| 摘 要： | 研究了外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响.在写入和擦除过程中分别或同时外加磁场,测量了不同擦除光强下磁场对光栅擦除过程的影响.结果表明,外加磁场对折射率光栅擦除时间存在明显影响.在光栅写入或光栅擦除过程分别外加磁场时,光栅擦除时间增加;但是当在写入和擦除过程同时外加磁场时,光栅的擦除时间明显变短.擦除时间变化与擦除光强相关,擦除光强越弱,磁场对擦除时间的变化越明显.进一步的研究发现擦除时间的变化来自于磁场对铌酸锂晶体中等效暗电导的影响.以上实验结果显示,外加磁场可以成为掺铁铌酸锂晶体光折变光栅的调控手段.
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| 关 键 词： | 掺铁铌酸锂晶体 磁场 光擦除, |
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