| 基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究 |
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| 引用本文： | 李赟,赵志飞,陆东赛,朱志明,李忠辉.基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究[J].人工晶体学报,2014,43(10):2699-2704. |
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| 作者姓名： | 李赟 赵志飞 陆东赛 朱志明 李忠辉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 |
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| 摘 要： | 采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响.采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23;和3.32;.
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| 关 键 词： | SiC衬底 外延 台阶形貌 均匀性 正交实验 |
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