| 助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究 |
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| 引用本文： | 吕洋洋,许智煌,叶李旺,苏根博,庄欣欣. 助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2481-2486 |
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| 作者姓名： | 吕洋洋 许智煌 叶李旺 苏根博 庄欣欣 |
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| 作者单位： | 中国科学院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002;中国科学院大学,北京100049;中国科学院光电材料化学与物理重点实验室,福州,350002 |
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| 基金项目： | 中国科学院光电材料化学与物理重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体.在50 ～60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体.采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相).利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70;,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰.霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88cm2 ·V-1 ·s-1.
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| 关 键 词： | 碘化亚铜 溶液降温法 碘化铵 光致发光 迁移率, |
Growth and Characterization of CuI Crystal by Temperature Reduction Method Using NH4I as Co-solvent |
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| LV Yang-yang,XU Zhi-huang,YE Li-wang,SU Gen-bo,ZHUANG Xin-xin. Growth and Characterization of CuI Crystal by Temperature Reduction Method Using NH4I as Co-solvent[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(10): 2481-2486 |
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| Authors: | LV Yang-yang XU Zhi-huang YE Li-wang SU Gen-bo ZHUANG Xin-xin |
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