| BiVO4晶体的坩埚下降法生长与性能研究 |
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| 引用本文： | 冯德圣,刘希涛,王静,易志国.BiVO4晶体的坩埚下降法生长与性能研究[J].人工晶体学报,2014,43(12):3104-3107. |
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| 作者姓名： | 冯德圣 刘希涛 王静 易志国 |
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| 作者单位： | 安徽理工大学材料科学与工程学院,淮南232001;中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州350002;中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州,350002;安徽理工大学材料科学与工程学院,淮南,232001 |
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| 基金项目： | 科技部重大研究计划项目(2013CB933203);国家自然科学基金(21373224);福建省自然科学基金(2012J01242);国家重点实验室开放课题项目(SKL201202SIC);中国科学院百人计划择优支持项目 |
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| 摘 要： | 采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究.发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应.
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| 关 键 词： | BiVO4晶体 坩埚下降法 畴结构 接触角 电阻率 |
Growth and Properties of BiVO4 Crystal by Bridgman Method |
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| FENG De-sheng,LIU Xi-tao,WANG Jing,YI Zhi-guo.Growth and Properties of BiVO4 Crystal by Bridgman Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(12):3104-3107. |
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| Authors: | FENG De-sheng LIU Xi-tao WANG Jing YI Zhi-guo |
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