| 化学气相沉积法生长石墨烯的研究 |
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| 引用本文： | 史永贵,王东,张进成,张鹏,史学芳,郝跃. 化学气相沉积法生长石墨烯的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1620-1625 |
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| 作者姓名： | 史永贵 王东 张进成 张鹏 史学芳 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家博士后科学基金(2012M521743);陕西省自然科学基础研究计划(2012JM8009) |
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| 摘 要： | ![]()
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度.因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要.而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯.
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| 关 键 词： | 石墨烯 化学气相沉积 表面粗糙度 生长温度 冷却速率, |
Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method |
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| SHI Yong-gui,WANG Dong,ZHANG Jin-cheng,ZHANG Peng,SHI Xue-fang,HAO Yue. Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(7): 1620-1625 |
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| Authors: | SHI Yong-gui WANG Dong ZHANG Jin-cheng ZHANG Peng SHI Xue-fang HAO Yue |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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