| 基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究 |
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| 引用本文： | 郑定山,邹旭明,蒋涛.基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究[J].人工晶体学报,2014,43(8):1986-1990. |
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| 作者姓名： | 郑定山 邹旭明 蒋涛 |
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| 作者单位： | 长江大学工程技术学院,荆州,434020;武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 长江大学工程技术学院科学研究发展基金资助项目(13j0801) |
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| 摘 要： | 利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
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| 关 键 词： | InAs纳米线 场效应晶体管 阈值电压 迁移率 |
Fabrication and Electrical Properties of InAs Nanowires Field-Effect Transistors |
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| ZHENG Ding-shan,ZOU Xu-ming,JIANG Tao.Fabrication and Electrical Properties of InAs Nanowires Field-Effect Transistors[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(8):1986-1990. |
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| Authors: | ZHENG Ding-shan ZOU Xu-ming JIANG Tao |
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