| 氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘媛媛,童杨,王雪霞,王昆仑,宋淑梅,杨田林.氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].人工晶体学报,2014,43(12):3108-3112. |
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| 作者姓名： | 刘媛媛 童杨 王雪霞 王昆仑 宋淑梅 杨田林 |
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| 作者单位： | 山东大学空间科学与物理学院,威海,264209 |
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| 基金项目： | 山东大学自主创新基金(2011ZRXT002,2011ZRYQ010);山东大学(威海)研究生科研创新基金(yjs12026) |
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| 摘 要： | 室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT).结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZOTFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型.当氧分压为7.47;时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 氧分压 光学带隙 IGZOTFT |
Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors |
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| LIU Yuan-yuan,TONG Yang,WANG Xue-xia,WANG Kun-lun,SONG Shu-mei,YANG Tian-lin.Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(12):3108-3112. |
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| Authors: | LIU Yuan-yuan TONG Yang WANG Xue-xia WANG Kun-lun SONG Shu-mei YANG Tian-lin |
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